RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB
Comparar
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB
Pontuação geral
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Relatar um erro
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
51
Por volta de -89% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18
9.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.3
8.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
51
27
Velocidade de leitura, GB/s
9.8
18.0
Velocidade de escrita, GB/s
8.1
14.3
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2208
3288
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Comparações de RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston 9965604-001.D00G 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Essencore Limited KD4AGS88C-26N1900 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB
G Skill Intl F3-1600C11-8GSL 8GB
Corsair CMK64GX4M2A2400C16 32GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905598-040.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Kingston KHX3466C19D4/16G 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9905743-023.A00G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMAA4GU6MJR8N-VK 32GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston HP24D4U7S1MBP-4 4GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Apacer Technology 78.C2GFA.AF30B 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link