RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
Comparar
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
Pontuação geral
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Relatar um erro
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
20
51
Por volta de -155% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
19.1
9.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.1
8.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
51
20
Velocidade de leitura, GB/s
9.8
19.1
Velocidade de escrita, GB/s
8.1
15.1
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2208
3506
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Comparações de RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3733C17 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMT32GX4M4C3466C16 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240081 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link