RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Comparar
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Pontuação geral
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Relatar um erro
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
51
Por volta de -104% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.2
9.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.6
8.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
51
25
Velocidade de leitura, GB/s
9.8
16.2
Velocidade de escrita, GB/s
8.1
12.6
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2208
3187
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Comparações de RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMH32GX4M2D3600C18 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMK32GX4M4D3200C16 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMK64GX4M8A2666C16 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FADG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMW8GX4M1Z3600C18 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link