RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Comparar
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Pontuação geral
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Relatar um erro
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
51
Por volta de -89% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.3
9.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
17.7
8.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
51
27
Velocidade de leitura, GB/s
9.8
18.3
Velocidade de escrita, GB/s
8.1
17.7
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2208
3956
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Comparações de RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FB 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16/16G 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARW0B 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston KHX4133C19D4/8GX 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7W0B 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 9965640-006.A01G 32GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link