RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Comparar
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Pontuação geral
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Pontuação geral
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
51
57
Por volta de 11% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
9.8
9.5
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.1
7.4
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Relatar um erro
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
51
57
Velocidade de leitura, GB/s
9.8
9.5
Velocidade de escrita, GB/s
8.1
7.4
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2208
2213
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Comparações de RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston 99U5702-089.A00G 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9905702-012.A00G 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905663-005.A00G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMD32GX4M4B3466C16 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTZR 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Corsair CMK64GX4M8X4133C19 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link