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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Comparar
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Pontuação geral
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Pontuação geral
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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Razões a considerar
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
9.9
9.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
51
51
Velocidade de leitura, GB/s
9.8
9.9
Velocidade de escrita, GB/s
8.1
8.1
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2208
2314
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Comparações de RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
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Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB Comparações de RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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