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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Pontuação geral
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Pontuação geral
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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Razões a considerar
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
51
Por volta de -82% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
12.2
9.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.3
8.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
51
28
Velocidade de leitura, GB/s
9.8
12.2
Velocidade de escrita, GB/s
8.1
9.3
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2208
2382
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Comparações de RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KF2666C16S4/16G 16GB
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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Avant Technology J642GU42J5213NF 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston HP26D4U9S1ME-4 4GB
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Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
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