RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Comparar
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Pontuação geral
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Pontuação geral
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
49
51
Por volta de -4% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
10.9
9.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.3
8.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
51
49
Velocidade de leitura, GB/s
9.8
10.9
Velocidade de escrita, GB/s
8.1
8.3
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2208
2413
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Comparações de RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston 9965600-005.A01G 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.DFW0C 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.8FE 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Kingston KHX2933C15D4/8GX 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link