RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Comparar
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Pontuação geral
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Pontuação geral
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Relatar um erro
Razões a considerar
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
51
Por volta de -70% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.3
9.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.2
8.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
23400
12800
Por volta de 1.83 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
51
30
Velocidade de leitura, GB/s
9.8
16.3
Velocidade de escrita, GB/s
8.1
12.2
Largura de banda de memória, mbps
12800
23400
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2208
2761
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Comparações de RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD2 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FB 32GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston 99P5474-023.A00LF 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
UMAX Technology D4-2666-8GB-1024X8-L 8GB
Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB
Kingston 9905630-005.A00G 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link