RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000 16GB
Comparar
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000 16GB
Pontuação geral
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Pontuação geral
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
49
Por volta de -63% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.9
10.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.4
8.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
49
30
Velocidade de leitura, GB/s
10.2
16.9
Velocidade de escrita, GB/s
8.1
13.4
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2465
3257
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB Comparações de RAM
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000 16GB Comparações de RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9905599-010.A00G 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BW4S 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston KHX2666C15D4/8G 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Kingston KHX3300C16D4/4GX 4GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KGRGB15 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMW128GX4M4D3600C18 32GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
Relatar um erro
×
Bug description
Source link