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Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMV16GX4M1A2400C16 16GB
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Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs Corsair CMV16GX4M1A2400C16 16GB
Pontuação geral
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Pontuação geral
Corsair CMV16GX4M1A2400C16 16GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
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Razões a considerar
Corsair CMV16GX4M1A2400C16 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
49
Por volta de -69% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.8
10.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.5
8.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMV16GX4M1A2400C16 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
49
29
Velocidade de leitura, GB/s
10.2
14.8
Velocidade de escrita, GB/s
8.1
8.5
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 25
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2465
2635
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB Comparações de RAM
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB
Corsair CMV16GX4M1A2400C16 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965669-005.A01G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
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