RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
Comparar
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
Pontuação geral
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
31
49
Por volta de -58% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.3
10.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.7
8.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
49
31
Velocidade de leitura, GB/s
10.2
16.3
Velocidade de escrita, GB/s
8.1
11.7
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2465
3179
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB Comparações de RAM
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB Comparações de RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3600C18 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston KHX3733C19D4/8GX 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FADP 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Lenovo LMKU8G68AHFHD-32A 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link