RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
Comparar
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
Pontuação geral
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
33
49
Por volta de -48% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.6
10.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.8
8.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
12800
Por volta de 2 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
49
33
Velocidade de leitura, GB/s
10.2
17.6
Velocidade de escrita, GB/s
8.1
12.8
Largura de banda de memória, mbps
12800
25600
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2465
3166
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB Comparações de RAM
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Kingston XRMWRN-HYA 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Kllisre 99P5428-002.A00LF 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FJ 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTZR 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBR1 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link