RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRS 16GB
Comparar
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs G Skill Intl F4-3600C16-16GTRS 16GB
Pontuação geral
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRS 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Relatar um erro
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRS 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
49
Por volta de -75% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18
10.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
16.2
8.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRS 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
49
28
Velocidade de leitura, GB/s
10.2
18.0
Velocidade de escrita, GB/s
8.1
16.2
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2465
3933
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB Comparações de RAM
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRS 16GB Comparações de RAM
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston 9905713-028.A00G 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRS 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston 9965600-011.A01G 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Mushkin MB[A/B]4U240FFFF16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
AMD R748G2133U2S-UO 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Neo Forza NMUD480E86-3200 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB
Kingston 9905403-003.B00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Essencore Limited KD44GU480-26N160T 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Relatar um erro
×
Bug description
Source link