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Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB
Comparar
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB
Pontuação geral
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Pontuação geral
Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
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Razões a considerar
Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
49
Por volta de -63% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.5
10.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.8
8.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
49
30
Velocidade de leitura, GB/s
10.2
15.5
Velocidade de escrita, GB/s
8.1
12.8
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2465
3090
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB Comparações de RAM
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Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB Comparações de RAM
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Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston ACR26D4S9D8ME-16 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVS 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16G
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
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