RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Comparar
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Pontuação geral
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Pontuação geral
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
22
49
Por volta de -123% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.2
10.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.5
8.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
49
22
Velocidade de leitura, GB/s
10.2
18.2
Velocidade de escrita, GB/s
8.1
13.5
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2465
3201
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB Comparações de RAM
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081S 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FAD 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVR 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M8FB1 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FAD 8GB
SK Hynix HMP125U6EFR8C-S6 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMK64GX4M8A2666C16 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link