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Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Comparar
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Pontuação geral
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Pontuação geral
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
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Razões a considerar
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
37
49
Por volta de -32% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.2
10.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.7
8.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
49
37
Velocidade de leitura, GB/s
10.2
14.2
Velocidade de escrita, GB/s
8.1
10.7
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2465
2591
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB Comparações de RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
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Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
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Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Kingston 9965669-019.A00G 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
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