RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Comparar
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Pontuação geral
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Pontuação geral
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
49
Por volta de -96% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.8
10.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.8
8.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
49
25
Velocidade de leitura, GB/s
10.2
16.8
Velocidade de escrita, GB/s
8.1
12.8
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2465
2989
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB Comparações de RAM
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213341 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Essencore Limited IM4AGS88N26-GIIHA0 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CMV8GX4M1A2666C18 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMSO4GX4M1A2133C15 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 16GB 16G
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHAB 4GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link