RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
Comparar
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
Pontuação geral
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Pontuação geral
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
10.2
8.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.1
6.9
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
38
49
Por volta de -29% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
49
38
Velocidade de leitura, GB/s
10.2
8.9
Velocidade de escrita, GB/s
8.1
6.9
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2465
2206
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB Comparações de RAM
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Mushkin MR[A/B]4U360JNNM8G 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Corsair CM4B16G1L3200K18K2 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FDD2 4GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FJ 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4A-H9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4A
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16/16G 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link