RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Comparar
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Pontuação geral
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Pontuação geral
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
49
Por volta de -75% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.8
10.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.7
8.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
49
28
Velocidade de leitura, GB/s
10.2
13.8
Velocidade de escrita, GB/s
8.1
8.7
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2465
2443
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB Comparações de RAM
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Corsair CM4X32GE2666C18S2 32GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZR 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston 99U5700-014.A00G 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Corsair CM4X8GF3000C15K4 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CM4X16GE2400Z16K4 16GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAK 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMK32GX4M2L3200C16 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link