RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Comparar
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Pontuação geral
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Pontuação geral
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
49
55
Por volta de 11% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
10.2
10
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.1
7.8
Valor médio nos testes
Razões a considerar
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Relatar um erro
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
49
55
Velocidade de leitura, GB/s
10.2
10.0
Velocidade de escrita, GB/s
8.1
7.8
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2465
2232
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB Comparações de RAM
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB Comparações de RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Corsair CMH32GX4M2Z3200C16 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston KHX4800C19D4/8GX 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
AMD R538G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston K821PJ-MIH 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMD16GX4M2C3333C16 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C14 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link