RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB
Comparar
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB
Pontuação geral
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Pontuação geral
Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
49
Por volta de -88% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.3
10.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.9
8.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
49
26
Velocidade de leitura, GB/s
10.2
14.3
Velocidade de escrita, GB/s
8.1
10.9
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2465
2744
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB Comparações de RAM
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CMT64GX4M8C3200C16 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FAR 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FBD 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link