RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
Comparar
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
Pontuação geral
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Pontuação geral
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
49
77
Por volta de 36% menor latência
Razões a considerar
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.5
10.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.2
8.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
49
77
Velocidade de leitura, GB/s
10.2
15.5
Velocidade de escrita, GB/s
8.1
8.2
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2465
1809
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB Comparações de RAM
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB Comparações de RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160X 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4R.M8FE1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
Avant Technology J641GU42J9266NL 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M8FB1 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Kingston 9905630-005.A00G 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link