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Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
Comparar
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
Pontuação geral
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Pontuação geral
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
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Razões a considerar
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
52
Por volta de -126% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.3
9.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.8
8.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
52
23
Velocidade de leitura, GB/s
9.8
16.3
Velocidade de escrita, GB/s
8.0
10.8
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2179
2763
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB Comparações de RAM
Kingston 9965433-406.A00LF 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB Comparações de RAM
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FP 16GB
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G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM16G 16GB
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