RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Corsair CMK16GX4M2D2666C16 8GB
Comparar
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB vs Corsair CMK16GX4M2D2666C16 8GB
Pontuação geral
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Pontuação geral
Corsair CMK16GX4M2D2666C16 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
52
61
Por volta de 15% menor latência
Razões a considerar
Corsair CMK16GX4M2D2666C16 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.9
9.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.5
8.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Corsair CMK16GX4M2D2666C16 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
52
61
Velocidade de leitura, GB/s
9.8
17.9
Velocidade de escrita, GB/s
8.0
8.5
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2179
2136
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB Comparações de RAM
Kingston 9965433-406.A00LF 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMK16GX4M2D2666C16 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Avant Technology W641GU42J7240NC 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3000D464L16S/8G 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Kingston 9965589-008.D02G 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FJ 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Transcend Information TS1GLH72V1H 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Corsair CM4X8GE2400C14K4 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVRB 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Ramaxel Technology RMUA5200MR78HAF-3200 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link