RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Comparar
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB vs Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Pontuação geral
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.0
6.6
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
52
Por volta de -117% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
12
9.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
52
24
Velocidade de leitura, GB/s
9.8
12.0
Velocidade de escrita, GB/s
8.0
6.6
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2179
1433
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB Comparações de RAM
Kingston 9965433-406.A00LF 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB Comparações de RAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Corsair VS1GB800D2 1GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBD2 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GFX 4GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9905701-132.A00G 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 9965596-016.B01G 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GIS 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBR2 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link