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Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Comparar
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB vs Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Pontuação geral
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Pontuação geral
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
52
66
Por volta de 21% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.0
7.9
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.9
9.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
52
66
Velocidade de leitura, GB/s
9.8
15.9
Velocidade de escrita, GB/s
8.0
7.9
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2179
1877
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB Comparações de RAM
Kingston 9965433-406.A00LF 8GB
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Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
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Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
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Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
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