RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Comparar
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB vs V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Pontuação geral
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Pontuação geral
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Relatar um erro
Razões a considerar
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
33
52
Por volta de -58% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15
9.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.5
8.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
52
33
Velocidade de leitura, GB/s
9.8
15.0
Velocidade de escrita, GB/s
8.0
8.5
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2179
2524
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB Comparações de RAM
Kingston 9965433-406.A00LF 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB Comparações de RAM
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G32 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FADG 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMK32GX4M4K4000C19 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Corsair CM4B8G2J3000K15K 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GVR 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingston 9905703-011.A00G 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMR16GX4M2K4266C19 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston 9965589-043.E00G 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Apacer Technology 78.CAGNK.4040B 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link