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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
Comparar
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
Pontuação geral
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Pontuação geral
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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Razões a considerar
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
35
44
Por volta de -26% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.9
11.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.6
8.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
10600
Por volta de 2.42 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
44
35
Velocidade de leitura, GB/s
11.2
16.9
Velocidade de escrita, GB/s
8.1
9.6
Largura de banda de memória, mbps
10600
25600
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2293
2607
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Comparações de RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHAB 4GB
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