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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
Comparar
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs AMD R744G2400U1S-UO 4GB
Pontuação geral
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Pontuação geral
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
44
66
Por volta de 33% menor latência
Razões a considerar
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.7
11.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.5
8.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
44
66
Velocidade de leitura, GB/s
11.2
16.7
Velocidade de escrita, GB/s
8.1
8.5
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2293
1912
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Comparações de RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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King Tiger Technology Tigo-2400MHz-8G 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4W.M16FB1 32GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB
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