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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Comparar
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Pontuação geral
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Pontuação geral
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
44
76
Por volta de 42% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.1
7.7
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.4
11.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
44
76
Velocidade de leitura, GB/s
11.2
14.4
Velocidade de escrita, GB/s
8.1
7.7
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2293
1718
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Comparações de RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Ramaxel Technology RMSA3320KE78HAF-3200 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Transcend Information JM3200HSE-32G 32GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB
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