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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB
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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB
Pontuação geral
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Pontuação geral
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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Razões a considerar
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
35
44
Por volta de -26% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.8
11.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.7
8.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
44
35
Velocidade de leitura, GB/s
11.2
16.8
Velocidade de escrita, GB/s
8.1
13.7
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2293
3306
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Comparações de RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
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