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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Comparar
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Pontuação geral
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Pontuação geral
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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Razões a considerar
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
32
44
Por volta de -38% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
19.4
11.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
16.3
8.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
44
32
Velocidade de leitura, GB/s
11.2
19.4
Velocidade de escrita, GB/s
8.1
16.3
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2293
3726
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Comparações de RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
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Kingston KVR26N19D8/16 16GB
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