RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CM4B8G1J3000K16W4 8GB
Comparar
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Corsair CM4B8G1J3000K16W4 8GB
Pontuação geral
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Pontuação geral
Corsair CM4B8G1J3000K16W4 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Corsair CM4B8G1J3000K16W4 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
44
Por volta de -47% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17
11.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.4
8.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CM4B8G1J3000K16W4 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
44
30
Velocidade de leitura, GB/s
11.2
17.0
Velocidade de escrita, GB/s
8.1
14.4
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2293
3465
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Comparações de RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
Corsair CM4B8G1J3000K16W4 8GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Kingston 9905630-051.A00G 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FG 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Avant Technology W642GU42J5213N8 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
A-DATA Technology DDR4 2800 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBD2 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZR 32GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Corsair CMK128GX4M8A2400C14 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9965589-008.D02G 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8
Relatar um erro
×
Bug description
Source link