RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB
Comparar
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB
Pontuação geral
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Pontuação geral
Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
44
Por volta de -47% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.4
11.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.6
8.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
44
30
Velocidade de leitura, GB/s
11.2
14.4
Velocidade de escrita, GB/s
8.1
8.6
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 25
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2293
2511
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Comparações de RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB Comparações de RAM
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Golden Empire CL16-20-20 D4-3200 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G32 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRBB 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C9 4GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000
Relatar um erro
×
Bug description
Source link