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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB
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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB
Pontuação geral
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Pontuação geral
Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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Razões a considerar
Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
31
44
Por volta de -42% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.9
11.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.2
8.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
44
31
Velocidade de leitura, GB/s
11.2
17.9
Velocidade de escrita, GB/s
8.1
15.2
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2293
3755
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Comparações de RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3600C16 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston 9905678-156.A00G 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB
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