RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
Comparar
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
Pontuação geral
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
35
44
Por volta de -26% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.6
11.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.5
8.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
44
35
Velocidade de leitura, GB/s
11.2
15.6
Velocidade de escrita, GB/s
8.1
12.5
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2293
3060
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Comparações de RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB Comparações de RAM
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston KHX2133C13D4/4GX 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Corsair CMD128GX4M8A2400C14 16GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK32GX4M4A2800C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.8FE 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link