RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GVR 16GB
Comparar
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs G Skill Intl F4-2800C15-16GVR 16GB
Pontuação geral
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-2800C15-16GVR 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Relatar um erro
Razões a considerar
G Skill Intl F4-2800C15-16GVR 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
44
Por volta de -47% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.4
11.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.0
8.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GVR 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
44
30
Velocidade de leitura, GB/s
11.2
16.4
Velocidade de escrita, GB/s
8.1
12.0
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2293
3148
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Comparações de RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GVR 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GVR 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FA 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3333C16 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Kingston 99U5712-009.A00G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK32GX4M2B3000C15 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9965640-001.C00G 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston MSI26D4S9S8HJ-8 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link