RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB
Comparar
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB
Pontuação geral
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Relatar um erro
Razões a considerar
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
44
Por volta de -52% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
21.3
11.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
17.3
8.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
44
29
Velocidade de leitura, GB/s
11.2
21.3
Velocidade de escrita, GB/s
8.1
17.3
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2293
4506
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Comparações de RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston 9965640-001.C00G 16GB
G Skill Intl F3-1600C11-8GIS 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVR 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDR2 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
INTENSO 5641162 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBR 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Ramaxel Technology RMSA3320KE78HAF-3200 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
INTENSO 5641160 8GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link