RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Comparar
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Pontuação geral
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Pontuação geral
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
44
Por volta de -63% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.6
11.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.9
8.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
44
27
Velocidade de leitura, GB/s
11.2
17.6
Velocidade de escrita, GB/s
8.1
14.9
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2293
3036
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Comparações de RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMV16GX4M1A2133C15 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Kingston 9965684-013.A00G 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081 4GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FAD 8GB
Kingston KF560C40-16 16GB
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
Relatar um erro
×
Bug description
Source link