RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Comparar
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Pontuação geral
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Pontuação geral
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
34
44
Por volta de -29% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.4
11.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.4
8.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
10600
Por volta de 2.42 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
44
34
Velocidade de leitura, GB/s
11.2
15.4
Velocidade de escrita, GB/s
8.1
12.4
Largura de banda de memória, mbps
10600
25600
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2293
2974
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Comparações de RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB Comparações de RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3200 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4B.M8FB1 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVRB 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Samsung M471B1G73BH0-YH9 8GB
Kingston KHYXPX-MID 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link