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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Comparar
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Pontuação geral
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Pontuação geral
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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Razões a considerar
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
40
44
Por volta de -10% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.4
11.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.8
8.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
44
40
Velocidade de leitura, GB/s
11.2
13.4
Velocidade de escrita, GB/s
8.1
10.8
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2293
2495
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Comparações de RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Kingston KHX2666C15D4/4G 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
AMD R744G2400U1S 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
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