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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Pontuação geral
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Pontuação geral
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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Razões a considerar
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
34
44
Por volta de -29% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.3
11.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.9
8.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
44
34
Velocidade de leitura, GB/s
11.2
14.3
Velocidade de escrita, GB/s
8.1
10.9
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2293
2201
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Comparações de RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB Comparações de RAM
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
KingSpec KingSpec 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMD128GX4M8B3200C16 16GB
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