RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Comparar
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Pontuação geral
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Pontuação geral
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
44
51
Por volta de 14% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
11.2
9.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.1
7.8
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Relatar um erro
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
44
51
Velocidade de leitura, GB/s
11.2
9.6
Velocidade de escrita, GB/s
8.1
7.8
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2293
2248
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Comparações de RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CM4X16GC3000C16K8 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUW0B 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMU32GX4M4A2666C16 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVR 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4B.M8FB1 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingston 9965604-027.D00G 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9965596-023.B01G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Corsair CMK32GX4M4D3600C18 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link