RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Comparar
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Pontuação geral
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Pontuação geral
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
22
44
Por volta de -100% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
20.9
11.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
18.5
8.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
44
22
Velocidade de leitura, GB/s
11.2
20.9
Velocidade de escrita, GB/s
8.1
18.5
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2293
4324
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Comparações de RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Corsair CMK32GX4M4B4000C19 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Corsair CM4X4GF2666C16K4 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link