RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Comparar
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Pontuação geral
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Pontuação geral
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
44
47
Por volta de 6% menor latência
Razões a considerar
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.8
11.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.6
8.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
44
47
Velocidade de leitura, GB/s
11.2
14.8
Velocidade de escrita, GB/s
8.1
11.6
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2293
2875
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Comparações de RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHMB 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMR64GX4M8X3800C19 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CM4B8G4J2400A16K2-ON 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMW32GX4M2C3466C16 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
A-DATA Technology AM2P26KC8T1-BXRS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Ramaxel Technology RMSA3230KB78HAF2133 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Corsair CMK32GX4M2C3000C16 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link