RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
V-Color Technology Inc. TC416G24D817 16GB
Comparar
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs V-Color Technology Inc. TC416G24D817 16GB
Pontuação geral
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Pontuação geral
V-Color Technology Inc. TC416G24D817 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.1
7.7
Valor médio nos testes
Razões a considerar
V-Color Technology Inc. TC416G24D817 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
44
Por volta de -83% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15
11.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
V-Color Technology Inc. TC416G24D817 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
44
24
Velocidade de leitura, GB/s
11.2
15.0
Velocidade de escrita, GB/s
8.1
7.7
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2293
2333
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Comparações de RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
V-Color Technology Inc. TC416G24D817 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C18 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FAD 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD480E82-3200D 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMD32GX4M4E4000C19 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FD 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link