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Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
AMD R948G3206U2S 8GB
Comparar
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs AMD R948G3206U2S 8GB
Pontuação geral
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Pontuação geral
AMD R948G3206U2S 8GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
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Razões a considerar
AMD R948G3206U2S 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
36
49
Por volta de -36% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.5
10.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.9
7.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
AMD R948G3206U2S 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
49
36
Velocidade de leitura, GB/s
10.1
18.5
Velocidade de escrita, GB/s
7.8
12.9
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2070
3320
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB Comparações de RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
AMD R948G3206U2S 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kllisre 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-3600C14-16GVKA 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston 9965662-012.A01G 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRS 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
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