RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CMH16GX4M2D3600C18 8GB
Comparar
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs Corsair CMH16GX4M2D3600C18 8GB
Pontuação geral
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Pontuação geral
Corsair CMH16GX4M2D3600C18 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Corsair CMH16GX4M2D3600C18 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
49
Por volta de -81% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
19.4
10.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
16.0
7.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CMH16GX4M2D3600C18 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
49
27
Velocidade de leitura, GB/s
10.1
19.4
Velocidade de escrita, GB/s
7.8
16.0
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2070
3646
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB Comparações de RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Corsair CMH16GX4M2D3600C18 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Mushkin 99[2/7/4]191F 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston 9905663-016.A00G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVR 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingston KF3600C16D4/16GX 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Avant Technology J644GU44J9266NQ 32GB
Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C14 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link