RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CMRX8GD3000C16R4D 8GB
Comparar
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs Corsair CMRX8GD3000C16R4D 8GB
Pontuação geral
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Pontuação geral
Corsair CMRX8GD3000C16R4D 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Corsair CMRX8GD3000C16R4D 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
21
49
Por volta de -133% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.3
10.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.0
7.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CMRX8GD3000C16R4D 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
49
21
Velocidade de leitura, GB/s
10.1
18.3
Velocidade de escrita, GB/s
7.8
14.0
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2070
3148
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB Comparações de RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Corsair CMRX8GD3000C16R4D 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CMRX8GD3000C16R4D 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair MK16GX44A2666C16 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FH 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston 9905702-135.A00G 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology BL32G32C16U4B.M16FB1 32GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FA 16GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Corsair CMK32GX5M2A4800C40 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link